Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
170 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.94mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,22
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 0,22
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,22 | € 2,20 |
100 - 140 | € 0,21 | € 2,10 |
150 - 740 | € 0,21 | € 2,10 |
750 - 1490 | € 0,21 | € 2,10 |
1500+ | € 0,20 | € 2,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
170 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.8V
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.94mm
Podrobnosti o výrobku