Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
220 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.92mm
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,7 nC při 10 V
Höhe
0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,225
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 0,225
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,225 | € 2,25 |
100 - 240 | € 0,194 | € 1,94 |
250 - 490 | € 0,168 | € 1,68 |
500 - 990 | € 0,147 | € 1,47 |
1000+ | € 0,135 | € 1,35 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
220 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.92mm
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,7 nC při 10 V
Höhe
0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.