Veselé Vianoce!

Vážení zákazníci, aj medzi vianočnými sviatkami a Novým rokom vám budeme k dispozícii. Pozrite sa prosím na podrobnosti, aby ste zaistili nákup u RS včas.

Viac informácií

MOSFET BSS138 N-kanálový 220 mA 50 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 671-0324Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: BSS138
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

220 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

50 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3,5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.8V

Maximální ztrátový výkon

360 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

2.92mm

Breite

1.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

1,7 nC při 10 V

Höhe

0.93mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor

Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,225

Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET BSS138 N-kanálový 220 mA 50 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 0,225

Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET BSS138 N-kanálový 220 mA 50 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaBalík
10 - 90€ 0,225€ 2,25
100 - 240€ 0,194€ 1,94
250 - 490€ 0,168€ 1,68
500 - 990€ 0,147€ 1,47
1000+€ 0,135€ 1,35

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

220 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

50 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3,5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.8V

Maximální ztrátový výkon

360 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

2.92mm

Breite

1.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

1,7 nC při 10 V

Höhe

0.93mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor

Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more