Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.94mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 50 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,24
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
25
€ 0,24
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
25
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,24 | € 6,00 |
125 - 475 | € 0,24 | € 6,00 |
500 - 1225 | € 0,23 | € 5,75 |
1250+ | € 0,22 | € 5,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.94mm
Podrobnosti o výrobku