Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
210 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
340 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,1 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 48,50
€ 0,097 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
500
€ 48,50
€ 0,097 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
500 - 900 | € 0,097 | € 9,70 |
1000+ | € 0,084 | € 8,41 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
210 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
340 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,1 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.