Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

MOSFET BSS84 P-kanálový 130 mA 50 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 166-2408Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: BSS84
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

130 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

50 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

10 Úř. věst. Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.8V

Maximální ztrátový výkon

250 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

1.4mm

Länge

3mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-65 °C

Höhe

1mm

Podrobnosti o výrobku

Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor

Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.

Charakteristiky a výhody:

• Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím
• TCS s vysokou hustotou
• Vysoký sytost proudu
• vynikající přepínání
• Velmi odolný a spolehlivý výkon
• Technologie DMOS

Aplikace:

• Přepínání zatížení
• DC/DC převodník
• Ochrana baterií
• Ovládání řízení spotřeby
• Ovládání motoru stejnosměrným proudem

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 344,52

€ 0,115 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

MOSFET BSS84 P-kanálový 130 mA 50 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 344,52

€ 0,115 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

MOSFET BSS84 P-kanálový 130 mA 50 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaCievka
3000 - 3000€ 0,115€ 344,52
6000 - 12000€ 0,112€ 335,68
15000+€ 0,109€ 327,31

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

130 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

50 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

10 Úř. věst. Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.8V

Maximální ztrátový výkon

250 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

1.4mm

Länge

3mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-65 °C

Höhe

1mm

Podrobnosti o výrobku

Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor

Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.

Charakteristiky a výhody:

• Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím
• TCS s vysokou hustotou
• Vysoký sytost proudu
• vynikající přepínání
• Velmi odolný a spolehlivý výkon
• Technologie DMOS

Aplikace:

• Přepínání zatížení
• DC/DC převodník
• Ochrana baterií
• Ovládání řízení spotřeby
• Ovládání motoru stejnosměrným proudem

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more