Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
130 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.3mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Höhe
0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,05
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,05
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,05 | € 150,00 |
6000+ | € 0,05 | € 150,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
130 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.3mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Höhe
0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku