MOSFET BSS84LT1G P-kanálový 130 mA 50 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
130 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
1.3mm
Höhe
0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 8,16
€ 0,082 Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
€ 8,16
€ 0,082 Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,082 | € 8,16 |
| 500 - 900 | € 0,07 | € 7,03 |
| 1000+ | € 0,061 | € 6,10 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
130 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
1.3mm
Höhe
0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products