Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
75 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.67mm
Höhe
16.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,86
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 0,86
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,86 | € 43,00 |
250 - 950 | € 0,84 | € 42,00 |
1000 - 2450 | € 0,82 | € 41,00 |
2500+ | € 0,80 | € 40,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
75 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.67mm
Höhe
16.51mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.