Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Gehäusegröße
CPH
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
900 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
120 MHz
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Univerzální tranzistory NPN, až 1A, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Gehäusegröße
CPH
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
900 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
120 MHz
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Univerzální tranzistory NPN, až 1A, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.