Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
CPH3
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
215 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,6 nC při 4,5 V
Breite
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.9mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
P.O.A.
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
CPH3
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
215 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,6 nC při 4,5 V
Breite
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.9mm
Podrobnosti o výrobku


