Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
20 to 40mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-25V
Konfigurace tranzistoru
Společné napájení
Konfigurace
Dual
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CPH
Pinanzahl
6
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
6pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
2.3pF
Abmessungen
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.9mm
Breite
1.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 6,11
€ 0,611 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 6,11
€ 0,611 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,611 | € 6,11 |
| 100 - 240 | € 0,527 | € 5,27 |
| 250 - 490 | € 0,456 | € 4,56 |
| 500 - 990 | € 0,401 | € 4,01 |
| 1000+ | € 0,365 | € 3,65 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
20 to 40mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-25V
Konfigurace tranzistoru
Společné napájení
Konfigurace
Dual
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CPH
Pinanzahl
6
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
6pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
2.3pF
Abmessungen
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.9mm
Breite
1.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


