Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
20 to 40mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-25V
Konfigurace tranzistoru
Společné napájení
Konfiguration
Dual
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CPH
Pinanzahl
6
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
6pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
2.3pF
Abmessungen
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.9mm
Breite
1.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,54
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
€ 0,54
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
10 - 10 | € 0,54 | € 5,40 |
20 - 40 | € 0,34 | € 3,40 |
50 - 90 | € 0,29 | € 2,90 |
100 - 190 | € 0,26 | € 2,60 |
200+ | € 0,25 | € 2,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
20 to 40mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-25V
Konfigurace tranzistoru
Společné napájení
Konfiguration
Dual
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CPH
Pinanzahl
6
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
6pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
2.3pF
Abmessungen
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.9mm
Breite
1.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.