MOSFET ECH8659-TL-W N-kanálový 7 A 30 V, ECH8, SOT-28FL, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
ECH8, SOT-28FL
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
55 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
2.3mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Počet prvků na čip
2
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11,8 nC při 10 V
Höhe
0.88mm
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
ECH8, SOT-28FL
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
55 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
2.3mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Počet prvků na čip
2
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11,8 nC při 10 V
Höhe
0.88mm
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products