řada: SuperFETMOSFET FCA47N60F N-kanálový 47 A 600 V, TO-3PN, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
47 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
73 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
417 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
16.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
210 nC při 10 V
Höhe
20.1mm
Řada
SuperFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
SuperFET® a SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild přidal řadu výkonových tranzistorů MOSFET SuperFET® II s vysokým napětím pomocí technologie Super Junction. Poskytuje nejlepší výkon robustní diody ve své třídě v aplikacích napájení SMPS (AC-DC Switch Mode), jako jsou servery, telekomunikace, počítače, průmyslové napájecí zdroje, UPS/ESS, solární převodník, osvětlovací aplikace, které vyžadují vysoký výkon, účinnost a spolehlivost systému.
Díky Advanced Charge bilance technologii dosahují návrháři efektivnějších, cenově výhodnějších a vysoce výkonných řešení, která zabírají méně místa na palubě a zlepšují spolehlivost.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
47 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
73 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
417 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
16.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
210 nC při 10 V
Höhe
20.1mm
Řada
SuperFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
SuperFET® a SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild přidal řadu výkonových tranzistorů MOSFET SuperFET® II s vysokým napětím pomocí technologie Super Junction. Poskytuje nejlepší výkon robustní diody ve své třídě v aplikacích napájení SMPS (AC-DC Switch Mode), jako jsou servery, telekomunikace, počítače, průmyslové napájecí zdroje, UPS/ESS, solární převodník, osvětlovací aplikace, které vyžadují vysoký výkon, účinnost a spolehlivost systému.
Díky Advanced Charge bilance technologii dosahují návrháři efektivnějších, cenově výhodnějších a vysoce výkonných řešení, která zabírají méně místa na palubě a zlepšují spolehlivost.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products