DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

řada: SuperFET IIMOSFET FCH043N60 N-kanálový 75 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 124-1457Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: FCH043N60
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

75 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

43 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

592 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Materiál tranzistoru

Si

Länge

15.87mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

163 nC při 10 V

Breite

4.82mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Höhe

20.82mm

Řada

SuperFET II

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

SuperFET® a SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild přidal řadu výkonových tranzistorů MOSFET SuperFET® II s vysokým napětím pomocí technologie Super Junction. Poskytuje nejlepší výkon robustní diody ve své třídě v aplikacích napájení SMPS (AC-DC Switch Mode), jako jsou servery, telekomunikace, počítače, průmyslové napájecí zdroje, UPS/ESS, solární převodník, osvětlovací aplikace, které vyžadují vysoký výkon, účinnost a spolehlivost systému.
Díky Advanced Charge bilance technologii dosahují návrháři efektivnějších, cenově výhodnějších a vysoce výkonných řešení, která zabírají méně místa na palubě a zlepšují spolehlivost.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: SuperFET IIMOSFET FCH043N60 N-kanálový 75 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

P.O.A.

řada: SuperFET IIMOSFET FCH043N60 N-kanálový 75 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

75 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

43 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

592 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Materiál tranzistoru

Si

Länge

15.87mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

163 nC při 10 V

Breite

4.82mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Höhe

20.82mm

Řada

SuperFET II

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

SuperFET® a SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild přidal řadu výkonových tranzistorů MOSFET SuperFET® II s vysokým napětím pomocí technologie Super Junction. Poskytuje nejlepší výkon robustní diody ve své třídě v aplikacích napájení SMPS (AC-DC Switch Mode), jako jsou servery, telekomunikace, počítače, průmyslové napájecí zdroje, UPS/ESS, solární převodník, osvětlovací aplikace, které vyžadují vysoký výkon, účinnost a spolehlivost systému.
Díky Advanced Charge bilance technologii dosahují návrháři efektivnějších, cenově výhodnějších a vysoce výkonných řešení, která zabírají méně místa na palubě a zlepšují spolehlivost.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more