řada: UniFETMOSFET FDA18N50 N-kanálový 19 A 500 V, TO-3PN, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
19 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
265 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
239 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
15.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
45 nC při 10 V
Breite
5mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
18.9mm
Řada
UniFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET UniFET™ je řada Fairchild Semiconductor s vysokým napětím MOSFET. Má nejmenší odpor na stavu mezi planetovými tranzistory MOSFET a poskytuje také vynikající spínací výkon a vyšší energii laviny. Navíc vnitřní elektrostatická dioda zdroje hradla umožňuje tranzistoru MOSFET UniFET-II™ MOSFET odolávat přepětí 2000 V HBM.
Tranzistory MOSFET™ UniFET™ jsou vhodné pro aplikace přepínání převodových převodníků, jako jsou korekce účiníku (PFC), TV s plochým panelem (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) a předřadníky elektronických světel.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
19 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
265 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
239 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
15.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
45 nC při 10 V
Breite
5mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
18.9mm
Řada
UniFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET UniFET™ je řada Fairchild Semiconductor s vysokým napětím MOSFET. Má nejmenší odpor na stavu mezi planetovými tranzistory MOSFET a poskytuje také vynikající spínací výkon a vyšší energii laviny. Navíc vnitřní elektrostatická dioda zdroje hradla umožňuje tranzistoru MOSFET UniFET-II™ MOSFET odolávat přepětí 2000 V HBM.
Tranzistory MOSFET™ UniFET™ jsou vhodné pro aplikace přepínání převodových převodníků, jako jsou korekce účiníku (PFC), TV s plochým panelem (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) a předřadníky elektronických světel.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products