Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
PowerTrench
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
310 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
84 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.67mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Automobilový MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Společnost Fairchild Semiconductor poskytuje řešení, která řeší složité problémy na automobilovém trhu, a to prostřednictvím důkladného řízení standardů kvality, bezpečnosti a spolehlivosti.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 2,82
€ 2,82 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 2,82
€ 2,82 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 2,82 |
10 - 99 | € 2,42 |
100 - 499 | € 2,11 |
500+ | € 1,86 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
PowerTrench
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
310 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
84 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.67mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Automobilový MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Společnost Fairchild Semiconductor poskytuje řešení, která řeší složité problémy na automobilovém trhu, a to prostřednictvím důkladného řízení standardů kvality, bezpečnosti a spolehlivosti.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.