řada: PowerTrenchMOSFET FDD8424H N/P-kanálový-kanálový 6,5 A, 9 A 40 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 5 dvojitý Společný
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6,5 A, 9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
PowerTrench
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
24 mΩ, 54 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Společný drain
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 10 V, 17 nC při 10 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Höhe
2.39mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 53,00
€ 1,06 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 53,00
€ 1,06 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 1,06 | € 5,30 |
| 100 - 495 | € 0,918 | € 4,59 |
| 500 - 995 | € 0,808 | € 4,04 |
| 1000+ | € 0,736 | € 3,68 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6,5 A, 9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
PowerTrench
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
24 mΩ, 54 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Společný drain
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 10 V, 17 nC při 10 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Höhe
2.39mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products