Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
500 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
770 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+8 V
Počet prvků na čip
2
Breite
1.25mm
Länge
2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,64 nC při 5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim Dual MOSFET Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory Field Effect jsou vyráběny pomocí patentované technologie DMOS (Fairchild's proprieed, high cell density). Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 327,12
€ 0,109 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 327,12
€ 0,109 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
500 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
770 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+8 V
Počet prvků na čip
2
Breite
1.25mm
Länge
2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,64 nC při 5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim Dual MOSFET Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory Field Effect jsou vyráběny pomocí patentované technologie DMOS (Fairchild's proprieed, high cell density). Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.