MOSFET FDG6303N N-kanálový 500 mA 25 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 739-0189PZnačka: onsemiČíslo dielu výrobcu: FDG6303N
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

500 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

25 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

770 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.65V

Maximální ztrátový výkon

300 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

+8 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Länge

2mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

1,64 nC při 5 V

Breite

1.25mm

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Rozšiřující režim Dual MOSFET Fairchild Semiconductor

Zdokonalené režimy tranzistory Field Effect jsou vyráběny pomocí patentované technologie DMOS (Fairchild's proprieed, high cell density). Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 18,40

€ 0,368 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET FDG6303N N-kanálový 500 mA 25 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Vyberte typ balenia

€ 18,40

€ 0,368 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET FDG6303N N-kanálový 500 mA 25 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

MnožstvoJednotková cenaCievka
50 - 95€ 0,368€ 1,84
100 - 495€ 0,32€ 1,60
500 - 995€ 0,28€ 1,40
1000+€ 0,256€ 1,28

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

500 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

25 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

770 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.65V

Maximální ztrátový výkon

300 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

+8 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Länge

2mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

1,64 nC při 5 V

Breite

1.25mm

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Rozšiřující režim Dual MOSFET Fairchild Semiconductor

Zdokonalené režimy tranzistory Field Effect jsou vyráběny pomocí patentované technologie DMOS (Fairchild's proprieed, high cell density). Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more