Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
750 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-363
Řada
PowerTrench
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
400 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
2mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,03 nC při 4,5 V
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Na semiši PowerTrench® MOFETS jsou optimalizovány výkonové přepínače, které nabízejí vyšší efektivitu systému a vyšší hustotu energie. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny, malé obnovení zpětného chodu a měkkou diodou pro zpětné zotavení, které přispívají k rychlému přepínání synchronní korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Výkon diody s měkkým tělem MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvod s šňupavým klipem nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
750 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-363
Řada
PowerTrench
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
400 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
2mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,03 nC při 4,5 V
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Na semiši PowerTrench® MOFETS jsou optimalizovány výkonové přepínače, které nabízejí vyšší efektivitu systému a vyšší hustotu energie. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny, malé obnovení zpětného chodu a měkkou diodou pro zpětné zotavení, které přispívají k rychlému přepínání synchronní korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Výkon diody s měkkým tělem MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvod s šňupavým klipem nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.


