řada: PowerTrenchMOSFET FDMC86184 N-kanálový 57 A 100 V, PQFN8, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
57 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
PQFN8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
54 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21 nC při 10 V
Breite
3.4mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.4mm
Höhe
0.75mm
Řada
PowerTrench
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,53
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 1,53
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,53 | € 15,30 |
| 100 - 490 | € 1,48 | € 14,80 |
| 500 - 990 | € 1,45 | € 14,50 |
| 1000 - 2990 | € 1,41 | € 14,10 |
| 3000+ | € 1,37 | € 13,70 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
57 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
PQFN8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
54 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
21 nC při 10 V
Breite
3.4mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.4mm
Höhe
0.75mm
Řada
PowerTrench
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products