řada: PowerTrenchMOSFET FDMS3602S N-kanálový 30 A, 40 A 25 V, Power 56, počet kolíků: 8 dvojitý Sériové zapojení Si

Skladové číslo RS: 759-9605Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: FDMS3602S
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A, 40 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

25 V

Gehäusegröße

PQFN

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

3.9 mΩ, 8.7 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

2.2 W, 2.5 W

Konfigurace tranzistoru

Series

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

19 nC při 10 V, 45 nC při 10 V

Počet prvků na čip

2

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

5mm

Breite

6mm

Materiál tranzistoru

Si

Řada

PowerTrench

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.05mm

Podrobnosti o výrobku

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Na semiši PowerTrench® MOFETS jsou optimalizovány výkonové přepínače, které nabízejí vyšší efektivitu systému a vyšší hustotu energie. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny, malé obnovení zpětného chodu a měkkou diodou pro zpětné zotavení, které přispívají k rychlému přepínání synchronní korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Výkon diody s měkkým tělem MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvod s šňupavým klipem nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

řada: PowerTrenchMOSFET FDMS3602S N-kanálový 30 A, 40 A 25 V, Power 56, počet kolíků: 8 dvojitý Sériové zapojení Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

řada: PowerTrenchMOSFET FDMS3602S N-kanálový 30 A, 40 A 25 V, Power 56, počet kolíků: 8 dvojitý Sériové zapojení Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A, 40 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

25 V

Gehäusegröße

PQFN

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

3.9 mΩ, 8.7 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

2.2 W, 2.5 W

Konfigurace tranzistoru

Series

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

19 nC při 10 V, 45 nC při 10 V

Počet prvků na čip

2

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

5mm

Breite

6mm

Materiál tranzistoru

Si

Řada

PowerTrench

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.05mm

Podrobnosti o výrobku

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Na semiši PowerTrench® MOFETS jsou optimalizovány výkonové přepínače, které nabízejí vyšší efektivitu systému a vyšší hustotu energie. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny, malé obnovení zpětného chodu a měkkou diodou pro zpětné zotavení, které přispívají k rychlému přepínání synchronní korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Výkon diody s měkkým tělem MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvod s šňupavým klipem nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more