řada: PowerTrenchMOSFET FDMS86183 N-kanálový 51 A 100 V, PQFN8, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
51 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
PQFN8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
12,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
63 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Breite
5.85mm
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Řada
PowerTrench
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Höhe
1.05mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,19
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
€ 1,19
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 1,19 | € 29,75 |
| 100 - 475 | € 0,94 | € 23,50 |
| 500 - 975 | € 0,79 | € 19,75 |
| 1000 - 2975 | € 0,65 | € 16,25 |
| 3000+ | € 0,63 | € 15,75 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
51 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
PQFN8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
12,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
63 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Breite
5.85mm
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Řada
PowerTrench
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Höhe
1.05mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products