řada: UniFETMOSFET FDP10N60NZ N-kanálový 10 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
750 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
185 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Breite
4.9mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Länge
10.36mm
Höhe
16.07mm
Řada
UniFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET UniFET™ je řada Fairchild Semiconductor s vysokým napětím MOSFET. Má nejmenší odpor na stavu mezi planetovými tranzistory MOSFET a poskytuje také vynikající spínací výkon a vyšší energii laviny. Navíc vnitřní elektrostatická dioda zdroje hradla umožňuje tranzistoru MOSFET UniFET-II™ MOSFET odolávat přepětí 2000 V HBM.
Tranzistory MOSFET™ UniFET™ jsou vhodné pro aplikace přepínání převodových převodníků, jako jsou korekce účiníku (PFC), TV s plochým panelem (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) a předřadníky elektronických světel.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
2
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
750 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
185 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Breite
4.9mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Länge
10.36mm
Höhe
16.07mm
Řada
UniFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET UniFET™ je řada Fairchild Semiconductor s vysokým napětím MOSFET. Má nejmenší odpor na stavu mezi planetovými tranzistory MOSFET a poskytuje také vynikající spínací výkon a vyšší energii laviny. Navíc vnitřní elektrostatická dioda zdroje hradla umožňuje tranzistoru MOSFET UniFET-II™ MOSFET odolávat přepětí 2000 V HBM.
Tranzistory MOSFET™ UniFET™ jsou vhodné pro aplikace přepínání převodových převodníků, jako jsou korekce účiníku (PFC), TV s plochým panelem (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) a předřadníky elektronických světel.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products