Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
128 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
4.67mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
48 nC při 10 V
Höhe
15.21mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,37
Each (In a Tube of 800) (bez DPH)
800
€ 2,37
Each (In a Tube of 800) (bez DPH)
800
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
128 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
4.67mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.36mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
48 nC při 10 V
Höhe
15.21mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Krajina pôvodu
China