Ne, řada: PowerTrench MOSFET Typ P, Typ N-kanálový 4.5 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2

Skladové číslo RS: 166-3247Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: FDS4559
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P, Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

4.5A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Gehäusegröße

SOIC

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Surface

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

55mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

12.5nC

Přímé napětí Vf

0.8V

Maximální ztrátový výkon Pd

2W

Maximální provozní teplota

175°C

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Breite

4 mm

Výška

1.5mm

Délka

5mm

Normy/schválení

No

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

No

Podrobnosti o výrobku

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 812,68

€ 0,325 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)

Ne, řada: PowerTrench MOSFET Typ P, Typ N-kanálový 4.5 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2

€ 812,68

€ 0,325 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)

Ne, řada: PowerTrench MOSFET Typ P, Typ N-kanálový 4.5 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P, Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

4.5A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Gehäusegröße

SOIC

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Surface

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

55mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

12.5nC

Přímé napětí Vf

0.8V

Maximální ztrátový výkon Pd

2W

Maximální provozní teplota

175°C

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Breite

4 mm

Výška

1.5mm

Délka

5mm

Normy/schválení

No

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

No

Podrobnosti o výrobku

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more