Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ P, Typ N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
4.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
SOIC
Řada
PowerTrench
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
12.5nC
Přímé napětí Vf
0.8V
Maximální ztrátový výkon Pd
2W
Maximální provozní teplota
175°C
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Breite
4 mm
Výška
1.5mm
Délka
5mm
Normy/schválení
No
Počet prvků na čip
2
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 812,68
€ 0,325 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 812,68
€ 0,325 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ P, Typ N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
4.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
SOIC
Řada
PowerTrench
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
12.5nC
Přímé napětí Vf
0.8V
Maximální ztrátový výkon Pd
2W
Maximální provozní teplota
175°C
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Breite
4 mm
Výška
1.5mm
Délka
5mm
Normy/schválení
No
Počet prvků na čip
2
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.


