Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Řada
PowerTrench
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10 A až 19,9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 81,50
€ 1,63 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 81,50
€ 1,63 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
50 - 95 | € 1,63 | € 8,15 |
100 - 495 | € 1,414 | € 7,07 |
500 - 995 | € 1,244 | € 6,22 |
1000+ | € 1,13 | € 5,65 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Řada
PowerTrench
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10 A až 19,9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.