Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.5 A, 8.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
31 mΩ, 200 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V, 8 nC při 10 V
Počet prvků na čip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Šířka
3.99mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
PowerTrench, SyncFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® SyncFET™ Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Navržen tak, aby minimalizoval ztráty při konverzi napájení a udržoval vynikající výkon při přepínání
Technologie Trench s vysokým výkonem pro extrémně nízké RDS(on)
SyncFET™ využívá efektivní tělovou diodu Schotttky
Aplikace v synchronním obnovení DC-DC převodníku, pohonech motoru, síťovém bodě spínače nízkého zatížení
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
5
P.O.A.
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.5 A, 8.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
31 mΩ, 200 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V, 8 nC při 10 V
Počet prvků na čip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Šířka
3.99mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
PowerTrench, SyncFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® SyncFET™ Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Navržen tak, aby minimalizoval ztráty při konverzi napájení a udržoval vynikající výkon při přepínání
Technologie Trench s vysokým výkonem pro extrémně nízké RDS(on)
SyncFET™ využívá efektivní tělovou diodu Schotttky
Aplikace v synchronním obnovení DC-DC převodníku, pohonech motoru, síťovém bodě spínače nízkého zatížení
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.