Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.5 A, 7.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ, 29 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, -16 V, +16 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V, 12 nC při 10 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
3.99mm
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Řada
PowerTrench, SyncFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® SyncFET™ Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Navržen tak, aby minimalizoval ztráty při konverzi napájení a udržoval vynikající výkon při přepínání
Technologie Trench s vysokým výkonem pro extrémně nízké RDS(on)
SyncFET™ využívá efektivní tělovou diodu Schotttky
Aplikace v synchronním obnovení DC-DC převodníku, pohonech motoru, síťovém bodě spínače nízkého zatížení
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.5 A, 7.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ, 29 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, -16 V, +16 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V, 12 nC při 10 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
3.99mm
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Řada
PowerTrench, SyncFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® SyncFET™ Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Navržen tak, aby minimalizoval ztráty při konverzi napájení a udržoval vynikající výkon při přepínání
Technologie Trench s vysokým výkonem pro extrémně nízké RDS(on)
SyncFET™ využívá efektivní tělovou diodu Schotttky
Aplikace v synchronním obnovení DC-DC převodníku, pohonech motoru, síťovém bodě spínače nízkého zatížení
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.


