Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.6 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
2
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 5 V
Řada
PowerTrench, SyncFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® SyncFET™ Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Navržen tak, aby minimalizoval ztráty při konverzi napájení a udržoval vynikající výkon při přepínání
Technologie Trench s vysokým výkonem pro extrémně nízké RDS(on)
SyncFET™ využívá efektivní tělovou diodu Schotttky
Aplikace v synchronním obnovení DC-DC převodníku, pohonech motoru, síťovém bodě spínače nízkého zatížení
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.6 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
2
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 5 V
Řada
PowerTrench, SyncFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® SyncFET™ Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Navržen tak, aby minimalizoval ztráty při konverzi napájení a udržoval vynikající výkon při přepínání
Technologie Trench s vysokým výkonem pro extrémně nízké RDS(on)
SyncFET™ využívá efektivní tělovou diodu Schotttky
Aplikace v synchronním obnovení DC-DC převodníku, pohonech motoru, síťovém bodě spínače nízkého zatížení
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.


