Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-247
Maximální stejnosměrný propustný proud
30A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1200V
Diodová konfigurace
Single
Typ diody
Schottkyho SiC
Pinanzahl
2
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
Schottky
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
1.19kA
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-247
Maximální stejnosměrný propustný proud
30A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1200V
Diodová konfigurace
Single
Typ diody
Schottkyho SiC
Pinanzahl
2
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
Schottky
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
1.19kA
Krajina pôvodu
China