DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

IGBT FGA30S120P N-kanálový 60 A 1300 V, TO-3PN, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 145-4449Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: FGA30S120P
brand-logo
View all in IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

60 A

Kollektor-Emitter-

1300 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±25V

Maximální ztrátový výkon

348 W

Gehäusegröße

TO-3P W, TO-3PN

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

15.8 x 5 x 20.1mm

Maximální pracovní teplota

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Diskrétní Fairchild Semiconductor, 1000 V a více

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT FGA30S120P N-kanálový 60 A 1300 V, TO-3PN, počet kolíků: 3 Jednoduchý

P.O.A.

IGBT FGA30S120P N-kanálový 60 A 1300 V, TO-3PN, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

60 A

Kollektor-Emitter-

1300 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±25V

Maximální ztrátový výkon

348 W

Gehäusegröße

TO-3P W, TO-3PN

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

15.8 x 5 x 20.1mm

Maximální pracovní teplota

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Diskrétní Fairchild Semiconductor, 1000 V a více

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more