Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDauer-Kollektorstrom max.
120 A
Kollektor-Emitter-
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
600 W
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
15.8 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
175 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 5,32
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
1
€ 5,32
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 5,32 |
10 - 99 | € 4,22 |
100 - 249 | € 3,70 |
250 - 499 | € 3,63 |
500+ | € 3,22 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDauer-Kollektorstrom max.
120 A
Kollektor-Emitter-
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
600 W
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
15.8 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
175 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.