Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDauer-Kollektorstrom max.
64 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±25V
Gehäusegröße
TO-264
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
20 x 5 x 26mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní Fairchild Semiconductor, 1000 V a více
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 10,86
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
1
€ 10,86
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 12 | € 10,86 |
13+ | € 9,80 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDauer-Kollektorstrom max.
64 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±25V
Gehäusegröße
TO-264
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
20 x 5 x 26mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní Fairchild Semiconductor, 1000 V a více
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.