Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-17 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-250 V
Gehäusegröße
TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
130 W
Minimální proudový zisk DC
80
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-250 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
30 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
15.6 x 4.8 x 19.9mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Power PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-17 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-250 V
Gehäusegröße
TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
130 W
Minimální proudový zisk DC
80
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-250 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
30 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
15.6 x 4.8 x 19.9mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Power PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.


