Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
400 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
80 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
700 V
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
400 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
80 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
700 V
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.


