Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
400 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
30 W
Minimální proudový zisk DC
8
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
700 V
Maximální bázové napětí emitoru
12 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 103,10
€ 0,516 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
200
€ 103,10
€ 0,516 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
200
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,516 | € 10,31 |
| 500 - 980 | € 0,447 | € 8,94 |
| 1000+ | € 0,393 | € 7,86 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
400 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
30 W
Minimální proudový zisk DC
8
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
700 V
Maximální bázové napětí emitoru
12 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.


