Spínaný emitorem FJP2145TU NPN 5 A 0.202V, TO-220, počet kolíků: 3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
5 A
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
120 W
Minimální proudový zisk DC
8
Počet kolíků
3
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Podrobnosti o výrobku
Výkonný tranzistor ESBC™, Fairchild Semiconductor
Bipolární výkonový tranzistor NPN určený pro použití v konfiguracích ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) spolu s příslušnými výkonnými zařízeními MOSFET. Tato konfigurace výkonového přepínače poskytuje zvýšenou účinnost, flexibilitu a robustnost a výkon řízení je minimalizován díky absenci Miller capacity v designu.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
5 A
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
120 W
Minimální proudový zisk DC
8
Počet kolíků
3
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Podrobnosti o výrobku
Výkonný tranzistor ESBC™, Fairchild Semiconductor
Bipolární výkonový tranzistor NPN určený pro použití v konfiguracích ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) spolu s příslušnými výkonnými zařízeními MOSFET. Tato konfigurace výkonového přepínače poskytuje zvýšenou účinnost, flexibilitu a robustnost a výkon řízení je minimalizován díky absenci Miller capacity v designu.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products