Spínaný emitorem FJP2160DTU NPN 2 A 2.21V, TO-220, počet kolíků: 3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
100 W
Minimální proudový zisk DC
20
Maximum Base Current
1A
Pinanzahl
3
Kategorie
Silicon Transistor
Höhe
15.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Abmessungen
9.9 x 4.5 x 15.95mm
Länge
9.9mm
Podrobnosti o výrobku
Výkonný tranzistor ESBC™, Fairchild Semiconductor
Bipolární výkonový tranzistor NPN určený pro použití v konfiguracích ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) spolu s příslušnými výkonnými zařízeními MOSFET. Tato konfigurace výkonového přepínače poskytuje zvýšenou účinnost, flexibilitu a robustnost a výkon řízení je minimalizován díky absenci Miller capacity v designu.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
100 W
Minimální proudový zisk DC
20
Maximum Base Current
1A
Pinanzahl
3
Kategorie
Silicon Transistor
Höhe
15.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Abmessungen
9.9 x 4.5 x 15.95mm
Länge
9.9mm
Podrobnosti o výrobku
Výkonný tranzistor ESBC™, Fairchild Semiconductor
Bipolární výkonový tranzistor NPN určený pro použití v konfiguracích ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) spolu s příslušnými výkonnými zařízeními MOSFET. Tato konfigurace výkonového přepínače poskytuje zvýšenou účinnost, flexibilitu a robustnost a výkon řízení je minimalizován díky absenci Miller capacity v designu.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products