Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
400 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
75 W
Minimální proudový zisk DC
19, 26
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
700 V
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 5,70
€ 1,14 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 5,70
€ 1,14 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
400 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
75 W
Minimální proudový zisk DC
19, 26
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
700 V
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.