Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
5 A
Gehäusegröße
TO-220F
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
40 W
Minimální proudový zisk DC
20
Pinanzahl
3
Abmessungen
10.36 x 4.9 x 16.07mm
Maximální pracovní teplota
+125 °C
Podrobnosti o výrobku
Výkonný tranzistor ESBC™, Fairchild Semiconductor
Bipolární výkonový tranzistor NPN určený pro použití v konfiguracích ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) spolu s příslušnými výkonnými zařízeními MOSFET. Tato konfigurace výkonového přepínače poskytuje zvýšenou účinnost, flexibilitu a robustnost a výkon řízení je minimalizován díky absenci Miller capacity v designu.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
5 A
Gehäusegröße
TO-220F
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
40 W
Minimální proudový zisk DC
20
Pinanzahl
3
Abmessungen
10.36 x 4.9 x 16.07mm
Maximální pracovní teplota
+125 °C
Podrobnosti o výrobku
Výkonný tranzistor ESBC™, Fairchild Semiconductor
Bipolární výkonový tranzistor NPN určený pro použití v konfiguracích ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) spolu s příslušnými výkonnými zařízeními MOSFET. Tato konfigurace výkonového přepínače poskytuje zvýšenou účinnost, flexibilitu a robustnost a výkon řízení je minimalizován díky absenci Miller capacity v designu.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.