Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
3 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
800 V
Gehäusegröße
TO-220F
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
40 W
Minimální proudový zisk DC
15, 20
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
1100 V
Maximální bázové napětí emitoru
7 V
Maximální provozní frekvence
15 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
10.16 x 4.7 x 15.87mm
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
3 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
800 V
Gehäusegröße
TO-220F
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
40 W
Minimální proudový zisk DC
15, 20
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
1100 V
Maximální bázové napětí emitoru
7 V
Maximální provozní frekvence
15 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
10.16 x 4.7 x 15.87mm
Podrobnosti o výrobku
Vysoce napěťové tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.


