Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
120 V
Gehäusegröße
SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
235 mW
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-120 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 1mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 60 až 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
P.O.A.
Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
P.O.A.
Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
120 V
Gehäusegröße
SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
235 mW
Minimální proudový zisk DC
200
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-120 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 1mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 60 až 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.