MOSFET FQD7P20TM P-kanálový 5,7 A 200 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 864-4948Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: FQD7P20TM
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5.7 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

200 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

690 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

55 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

19 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

2.39mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor

Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.

Charakteristiky a výhody:

• Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím
• TCS s vysokou hustotou
• Vysoký sytost proudu
• vynikající přepínání
• Velmi odolný a spolehlivý výkon
• Technologie DMOS

Aplikace:

• Přepínání zatížení
• DC/DC převodník
• Ochrana baterií
• Ovládání řízení spotřeby
• Ovládání motoru stejnosměrným proudem

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

€ 1 112,40

€ 0,445 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)

MOSFET FQD7P20TM P-kanálový 5,7 A 200 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 1 112,40

€ 0,445 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)

MOSFET FQD7P20TM P-kanálový 5,7 A 200 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaCievka
2500 - 10000€ 0,445€ 1 112,40
12500 - 22500€ 0,43€ 1 075,69
25000+€ 0,419€ 1 047,88

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5.7 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

200 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

690 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

55 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

19 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

2.39mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor

Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.

Charakteristiky a výhody:

• Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím
• TCS s vysokou hustotou
• Vysoký sytost proudu
• vynikající přepínání
• Velmi odolný a spolehlivý výkon
• Technologie DMOS

Aplikace:

• Přepínání zatížení
• DC/DC převodník
• Ochrana baterií
• Ovládání řízení spotřeby
• Ovládání motoru stejnosměrným proudem

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať