Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
52 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
21 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
121 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24,5 nC při 5 V
Breite
4.7mm
Řada
QFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.4mm
Podrobnosti o výrobku
QFET® N-Channel MOSFET, přes 31A, Fairchild Semiconductor
Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.
Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
52 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
21 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
121 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24,5 nC při 5 V
Breite
4.7mm
Řada
QFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.4mm
Podrobnosti o výrobku
QFET® N-Channel MOSFET, přes 31A, Fairchild Semiconductor
Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.
Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.