Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-220F
Řada
QFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
44 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
28 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.36mm
Breite
4.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.07mm
Podrobnosti o výrobku
QFET® N-Channel MOSFET, 6 A až 10,9A, Fairchild Semiconductor
Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.
Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 7,55
€ 1,51 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 7,55
€ 1,51 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,51 | € 7,55 |
50 - 95 | € 1,30 | € 6,50 |
100 - 495 | € 1,128 | € 5,64 |
500 - 995 | € 0,992 | € 4,96 |
1000+ | € 0,902 | € 4,51 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-220F
Řada
QFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
44 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
28 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.36mm
Breite
4.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.07mm
Podrobnosti o výrobku
QFET® N-Channel MOSFET, 6 A až 10,9A, Fairchild Semiconductor
Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.
Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.