Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: QFETMOSFET FQPF9N50CF N-kanálový 9 A 500 V, TO-220F, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 807-5910Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: FQPF9N50CF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

500 V

Gehäusegröße

TO-220F

Řada

QFET

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

850 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

44 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

28 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.36mm

Breite

4.9mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

16.07mm

Podrobnosti o výrobku

QFET® N-Channel MOSFET, 6 A až 10,9A, Fairchild Semiconductor

Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.
Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 7,55

€ 1,51 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: QFETMOSFET FQPF9N50CF N-kanálový 9 A 500 V, TO-220F, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 7,55

€ 1,51 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: QFETMOSFET FQPF9N50CF N-kanálový 9 A 500 V, TO-220F, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaBalík
5 - 45€ 1,51€ 7,55
50 - 95€ 1,30€ 6,50
100 - 495€ 1,128€ 5,64
500 - 995€ 0,992€ 4,96
1000+€ 0,902€ 4,51

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

500 V

Gehäusegröße

TO-220F

Řada

QFET

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

850 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

44 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

28 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.36mm

Breite

4.9mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

16.07mm

Podrobnosti o výrobku

QFET® N-Channel MOSFET, 6 A až 10,9A, Fairchild Semiconductor

Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.
Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať