Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDauer-Kollektorstrom max.
21 A
Kollektor-Emitter-
300 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±10V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,99
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
€ 1,99
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
5 - 5 | € 1,99 | € 9,95 |
10 - 95 | € 1,68 | € 8,40 |
100 - 245 | € 1,27 | € 6,35 |
250 - 495 | € 1,23 | € 6,15 |
500+ | € 1,07 | € 5,35 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDauer-Kollektorstrom max.
21 A
Kollektor-Emitter-
300 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±10V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.