Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 40mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
12 Ω
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-92
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
85pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
85pF
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
4.58mm
Höhe
4.58mm
Breite
3.86mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,38
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
€ 0,38
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,38 | € 9,50 |
100 - 475 | € 0,29 | € 7,25 |
500 - 975 | € 0,22 | € 5,50 |
1000 - 2475 | € 0,18 | € 4,50 |
2500+ | € 0,16 | € 4,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 40mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
12 Ω
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-92
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
85pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
85pF
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
4.58mm
Höhe
4.58mm
Breite
3.86mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.