Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 20mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
35V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
30 Ω
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-92
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
28pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
28pF
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Höhe
5.33mm
Breite
4.19mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.2mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,078
Each (In a Bag of 10000) (bez DPH)
10000
€ 0,078
Each (In a Bag of 10000) (bez DPH)
10000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 20mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
35V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
30 Ω
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-92
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
28pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
28pF
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Höhe
5.33mm
Breite
4.19mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.2mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.